收藏本站
MRF6V3090NR1 MRF6V3090NR5
MRF6V3090NBR1 MRF6V3090NBR5
13
RF Device Data
Freescale Semiconductor, Inc.
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。

采购需求

(若只采购一条型号，填写一行即可)

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

*型号 *数量 厂商 批号 封装
添加更多采购

我的联系方式

*
*
*
相关PDF资料
MRF6V4300NR5 MOSFET RF N-CH 300W TO-270-4
MRF6VP11KHR6 MOSFET RF N-CH 1000W NI1230
MRF6VP121KHSR6 MOSFET RF N-CH 50V NI-1230S
MRF6VP21KHR6 MOSFET RF N-CH 1000W NI1230
MRF6VP2600HR6 MOSFET RF N-CH 600W NI1230
MRF6VP3091NBR1 MOSFET RF 50V 350MA TO272-4
MRF6VP3450HR6 MOSFET RF N-CH 450W NI-1230
MRF6VP41KHSR7 MOSFET RF N-CH 1000W NI1230S
相关代理商/技术参数
MRF6V4300NBR1 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 VHV6 300W TO272WB4 RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray
MRF6V4300NBR5 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 VHV6 300W Latrl N-Ch SE Broadband MOSFET RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray
MRF6V4300NBR5-CUT TAPE 制造商:Freescale 功能描述:MRF6V4300 Series 600 MHz 110 V RF Power N-Channel Mosfet - TO-272-4
MRF6V4300NR1 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 VHV6 300W TO270WB4 RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray
MRF6V4300NR1_10 制造商:FREESCALE 制造商全称:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF Power Field Effect Transistors N--Channel Enhancement--Mode Lateral MOSFETs
MRF6V4300NR5 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 VHV6 300W TO270WB4 RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray
MRF6VP11KGHSR5 制造商:Freescale Semiconductor 功能描述:RF POWER TRANSISTOR LDMOS
MRF6VP11KGHSR6 制造商:Freescale Semiconductor 功能描述:RF POWER TRANSISTOR LDMOS